Estudo das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT e DNSS utilizando métodos de primeiros princípios

Cantuaria, Jadson Xavier

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.advisor	Sousa, Regina Lélis de	-
dc.contributor.author	Cantuaria, Jadson Xavier	-
dc.date.accessioned	2021-09-21T19:45:23Z	-
dc.date.available	2021-09-21T19:45:23Z	-
dc.date.issued	2021-09-21	-
dc.identifier.citation	CANTUARIA, Jadson Xavier. Estudo das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT e DNSS utilizando métodos de primeiros princípios.67f. Monografia (Graduação) - Física Universidade Federal do Tocantins, Araguaína, 2014.	pt_BR
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11612/3121	-
dc.description.abstract	Não possui Abstract.	pt_BR
dc.language.iso	pt_BR	pt_BR
dc.publisher	Universidade Federal do Tocantins	pt_BR
dc.rights	Acesso livre	pt_BR
dc.subject	Latex.	pt_BR
dc.subject	Abntex.	pt_BR
dc.subject	Editoração de texto.	pt_BR
dc.title	Estudo das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT e DNSS utilizando métodos de primeiros princípios	pt_BR
dc.type	Monografia	pt_BR
dc.description.resumo	A área da eletrônica orgânicos nos últimos anos têm ganhado grande atenção da comu- nidade científica devido às possibilidades de aplicações em dispositivos eletrônicos, tais como LEDS (dispositivos emissores de luz), células fotovoltaicas, transistores ou sensores.Dentre as características atrativas destes materiais, destacamos o baixo custo, facilidadede processamento utilizando métodos de química molhada, flexibilidade estrutural e pos- sibilidade de construção de dispositivos com grandes áreas. Entretanto, para se obter dis- positivos eficientes, é fundamental que o semicondutor orgânico empregado como camada ativa tenha alta mobilidade e estabilidade em atmosfera. A construção de dispositivos eficientes tem se mostrado um desafio. Do ponto de vista da modelagem computacional, o problema de estudar esse tipo de material é a complexidade dos cálculos utilizando métodos de primeiros princípios. Metodologias baseadas na Teoria do Funcional da Den- sidade (Density Functional Theory - DFT) tem sido empregadas, mas, nestes casos, não é possível descrever adequadamente as interações de longo alcance com os funcionais de troca e correlação padrões. É imperativo o uso de correções para descrição das forças de van der Waals (vdW) existentes entre as moléculas. No presente trabalho, apresenta- mos resultados para investigações das propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT (dinafto[2,3-b:2,3-f]thieno[3,2-b]-tiofeno) e DNSS (dinafto[2,3-b:2,3-f]thieno[3,2- b]-selofeno) empregando duas metodologias de correção das forças de van der Waals no funcional de troca e correlação GGA-PBE: uma correção empírica, baseada nos coeficien- tes C6 e uma correção não empírica e não local. Nosso foco é discutir a eficiência e precisão na descrição das propriedades destes dois semicondutores utilizando duas estratégias dis- tintas para descrever as interações de van der Waals. Obtivemos sucesso com as duas correções, entretanto, a correção empírica tem mostrado resultados mais promissores.	pt_BR
dc.publisher.campus	Araguaína	pt_BR
dc.subject.cnpq	CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA GERAL	pt_BR
dc.publisher.curso	CURSO::ARAGUAÍNA::PRESENCIAL::LICENCIATURA::FÍSICA	pt_BR
dc.publisher.local	Araguaína	pt_BR
dc.publisher.level	Graduação	pt_BR
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