Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11612/4605
Authors: Sousa, Lucylia Trindade de
metadata.dc.contributor.advisor: Sousa, Regina Lélis de
Title: Investigação das Propriedades Estruturas e Eletrônicas do CdSe e CdTe utilizando métodos de primeiros Princípios.
Keywords: Dispositivos híbridos;Semicondutores inorgânicos;Teoria do Funcional da Densidade;Estrutura eletrônica;Hybrid devices;Inorganic semiconductors;Density Functional Theory;Electronic structure.
Issue Date: 3-Feb-2023
Publisher: Universidade Federal do Tocantins
Citation: SOUSA, Lucylia Trindade de. Investigação das Propriedades Estruturas e Eletrônicas do CdSe e CdTe utilizando métodos de primeiros Princípios. 2014. 54 f. TCC (Graduação) - Curso de Física, Universidade Federal do Tocantins, Araguaína, 2014.
metadata.dc.description.resumo: Semicondutores inorgânicos com alta afinidade eletrônica têm sido extensivamente estudados devido à possibilidade de aplicações tecnlógicas. Dentre as mais promissoras destacamos o uso em fotodetectores, fotovoltaicos, entre outros. Os materiais aqui investigados, CdSe (seleneto de cádmio) e CdTe (telureto de cadmio), têm sido utilizados com sucesso como camada transportadora de elétrons em dispositivos híbridos e têm contribuído para significativa melhora na eficiência dos mesmos. Neste trabalho, apresentamos um estudo, do ponto de vista quântico, das propriedades estruturais e eletrônicas do CdSe CdTe na forma bulk. Nossos resultados mostram que nossa metodologia é adequada e podemos utilizá-la com sucesso para descrever estes materiais quando nanoestruturados, isto é, na forma que são mais interessantes para aplicações tecnológicas.
Abstract: The motivation for the study of inorganic semiconductors with high electron affinity has been the possibility of technological applications in photodetectors, photovoltaic and others. CdSe and CdTe have drawn considerable attention in recent years because they have interesting electonic features and have been successfully used as electron transporting layer in organic-inorganic hybrid devices. In order to describe the electronic properties of the CdSe and CdTe in the bulk form, we present a theoretical investigation based on first principle methods of Density Functional Theory (DFT). Our findings demonstrate that our methodology is appropriate and can be used to describe the electronic properties of these materials. Based on results discussed here, we are confident to use this approach to investigate nanostructures of CdSe and CdTe.
URI: http://hdl.handle.net/11612/4605
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